MT3S111TU,LF

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	MT3S111TU,LF
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Описание	RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Доступность

В наличии	3 372
Цена за единицу товара	$ 0.58000

MT3S111TU,LF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

MT3S111TU,LF Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип транзистора:	NPN
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	6V
частота - переход:	10GHz
коэффициент шума (дБ тип @ f):	0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
прирост:	12.5dB
мощность - макс.:	800mW
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	200 @ 30mA, 5V
ток - коллектор (ic) (макс.):	100mA
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	3-SMD, Flat Lead
пакет устройств поставщика:	UFM

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.