DD1200S12H4HOSA1

DD1200S12H4HOSA1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя DD1200S12H4HOSA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Описание IGBT MODULE 1200V 1200A
Категория дискретные полупроводниковые изделия
Семья транзисторы - IGBT - модули
Жизненный цикл: New from this manufacturer.
Доставка: DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация DD1200S12H4HOSA1 PDF

Доступность

В наличии 50 696
Цена за единицу товара $ 811.79500

DD1200S12H4HOSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

DD1200S12H4HOSA1 Технические характеристики

Тип Описание
серии:-
упаковка:Tray
статус детали:Active
тип IGBT:-
конфигурация:2 Independent
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):1200 A
мощность - макс.:1200000 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:2.35V @ 15V, 1200A
ток - отсечка коллектора (макс.):-
входная емкость (cis) @ vce:-
вход:Standard
нтк термистор:No
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C
тип крепления:Chassis Mount
упаковка / чехол:Module
пакет устройств поставщика:Module

Shopping Guide

Shipping Rate
Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.

Shipping Methods
Shipping Methods

We provide DHL, FedEx, UPS, EMS, SF Express, and Registered Air Mail international shipping.


Payment
Payment

TT in advance (bank transfer), Western Union,PayPal. Customer is responsible for shipping fee, bank charges, duties and taxes.

Рекомендуемые продукты

Copyright © 2024 ZHONG HAI SHENG TECHNOLOGY LIMITED All Rights Reserved.

Заявление о конфиденциальности | Условия эксплуатации | Гарантия качества

Top