TK39J60W,S1VQ

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	TK39J60W,S1VQ
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Описание	MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	TK39J60W,S1VQ PDF

Доступность

В наличии	266 449
Цена за единицу товара	$ 10.21000

TK39J60W,S1VQ Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TK39J60W,S1VQ Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	DTMOSIV
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	38.8A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.7V @ 1.9mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	110 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	4100 pF @ 300 V
Фет-функция:	Super Junction
рассеиваемая мощность (макс.):	270W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-3P(N)
упаковка / чехол:	TO-3P-3, SC-65-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.