STGB30H65DFB2

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	STGB30H65DFB2
Производитель	STMicroelectronics
Описание	TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Доступность

В наличии	85
Цена за единицу товара	$ 2.22000

STGB30H65DFB2 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

STGB30H65DFB2 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	HB2
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	50 A
ток - коллектор импульсный (icm):	90 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 30A
мощность - макс.:	167 W
переключение энергии:	270µJ (on), 310µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	90 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	18.4ns/71ns
условия испытаний:	400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	115 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
пакет устройств поставщика:	D2PAK-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.