HGTD1N120BNS9A

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	HGTD1N120BNS9A
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Описание	IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	HGTD1N120BNS9A PDF

Доступность

В наличии	7 588
Цена за единицу товара	$ 1.51000

HGTD1N120BNS9A Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

HGTD1N120BNS9A Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип IGBT:	NPT
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	5.3 A
ток - коллектор импульсный (icm):	6 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.9V @ 15V, 1A
мощность - макс.:	60 W
переключение энергии:	70µJ (on), 90µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	14 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	15ns/67ns
условия испытаний:	960V, 1A, 82Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
пакет устройств поставщика:	TO-252AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.