RGT8NS65DGC9

RGT8NS65DGC9

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя RGT8NS65DGC9
Производитель ROHM Semiconductor
Описание IGBT
Категория дискретные полупроводниковые изделия
Семья транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл: New from this manufacturer.
Доставка: DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Доступность

В наличии 1 000
Цена за единицу товара $ 1.84000

RGT8NS65DGC9 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

RGT8NS65DGC9 Технические характеристики

Тип Описание
серии:-
упаковка:Tube
статус детали:Active
тип IGBT:Trench Field Stop
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):8 A
ток - коллектор импульсный (icm):12 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 4A
мощность - макс.:65 W
переключение энергии:-
тип ввода:Standard
заряд ворот:13.5 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:17ns/69ns
условия испытаний:400V, 4A, 50Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):40 ns
Рабочая Температура:-40°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
упаковка / чехол:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
пакет устройств поставщика:TO-262

Shopping Guide

Shipping Rate
Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.

Shipping Methods
Shipping Methods

We provide DHL, FedEx, UPS, EMS, SF Express, and Registered Air Mail international shipping.


Payment
Payment

TT in advance (bank transfer), Western Union,PayPal. Customer is responsible for shipping fee, bank charges, duties and taxes.

Рекомендуемые продукты

Copyright © 2024 ZHONG HAI SHENG TECHNOLOGY LIMITED All Rights Reserved.

Заявление о конфиденциальности | Условия эксплуатации | Гарантия качества

Top