BSM100GB120DN2HOSA1

BSM100GB120DN2HOSA1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя BSM100GB120DN2HOSA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Описание IGBT MOD 1200V 150A 800W
Категория дискретные полупроводниковые изделия
Семья транзисторы - IGBT - модули
Жизненный цикл: New from this manufacturer.
Доставка: DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Доступность

В наличии 717 645
Цена за единицу товара $ 166.76100

BSM100GB120DN2HOSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

BSM100GB120DN2HOSA1 Технические характеристики

Тип Описание
серии:-
упаковка:Tray
статус детали:Not For New Designs
тип IGBT:-
конфигурация:Half Bridge
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):150 A
мощность - макс.:800 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:3V @ 15V, 100A
ток - отсечка коллектора (макс.):2 mA
входная емкость (cis) @ vce:6.5 nF @ 25 V
вход:Standard
нтк термистор:No
Рабочая Температура:150°C (TJ)
тип крепления:Chassis Mount
упаковка / чехол:Module
пакет устройств поставщика:Module

Shopping Guide

Shipping Rate
Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.

Shipping Methods
Shipping Methods

We provide DHL, FedEx, UPS, EMS, SF Express, and Registered Air Mail international shipping.


Payment
Payment

TT in advance (bank transfer), Western Union,PayPal. Customer is responsible for shipping fee, bank charges, duties and taxes.

Рекомендуемые продукты

Copyright © 2024 ZHONG HAI SHENG TECHNOLOGY LIMITED All Rights Reserved.

Заявление о конфиденциальности | Условия эксплуатации | Гарантия качества

Top